4月15日消息，据国外媒体报道，美国政府已经同意向韩国三星电子公司提供最高64亿美元补贴，以帮助其在美国得克萨斯州建设芯片制造工厂。此举标志着拜登政府为重塑美国半导体制造业所实施一系列重磅补贴政策的最新进展。
美国商务部透露，这笔资金将帮助三星将其在得克萨斯州泰勒市的投资规模提升至约450亿美元，同时增设第二家芯片制造厂、一座尖端芯片封装设施，并强化研发实力。泰勒市毗邻奥斯汀，此次投资规模更是三星2021年在泰勒建厂承诺的两倍有余。
然而，这笔资金能否顺利到位尚待美国商务部对三星的尽职调查结果。美国商务部根据2022年颁布的美国《芯片法案》监管着高达390亿美元的制造业拨款。
美国白宫国家经济顾问莱尔·布雷纳德（Lael Brainard）表示：“尖端芯片制造业的回归，无疑为我们半导体产业揭开了重要新篇章。”
在与媒体的电话会议中，美国商务部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）也表示：“这一计划将使得克萨斯州成为最先进的半导体生态系统，帮助我们实现到2030年在美国生产20%世界领先芯片的目标。”
据美国商务部透露，三星电子今年已为美国的大型芯片制造项目注入了230亿美元资金，预计将创造1.7万个建筑岗位和4500个制造业岗位。
美国《芯片法案》作为拜登政府振兴芯片产业的核心战略，旨在通过美国政府资金扶持，恢复美国国内对这一关乎国家安全和经济增长关键科技部件的生产能力。
回溯至上世纪90年代，美国在全球芯片产量中占据三分之一以上的份额，然而到2020年，这一比例已骤降至约12%。雷蒙多指出，芯片供应链的绝大部分集中在亚洲，“这使得美国的供应链非常容易受到干扰”。
作为全球内存芯片制造的巨头，三星不仅在业内占据举足轻重的地位，还是芯片代工领域的重要参与者。与台积电和英特尔等业界翘楚一样，三星也是少数几家具备制造顶尖逻辑芯片能力的公司之一。
两年前，三星曾向得克萨斯州审计长办公室提交了一份宏伟计划，透露未来二十年内可能在得克萨斯州投资超过2000亿美元，兴建多达11家芯片制造厂。
据美国商务部透露，三星计划在泰勒市兴建的两家芯片制造厂，将专注于生产4纳米和2纳米芯片，这些产品均属于全球最先进的代工业务范畴，两家工厂预计将分别于2026年和2027年投入生产。
与此同时，苹果最新款iPhone 15的处理器将采用台积电3纳米工艺制造。在芯片制造领域，纳米数字越小意味着所采用的生产技术越为复杂和先进。
此外，三星还计划建设一座先进的芯片封装工厂，专注于高带宽存储器（HBM）的3D封装技术。HBM作为一种特殊类型的存储器，在人工智能计算中发挥着不可或缺的作用。该工厂还将提供2.5D封装技术，将逻辑芯片和存储芯片整合到一个封装中，从而打造出更加强大的芯片系统，满足人工智能计算日益增长的需求。
HBM是通过将多个DRAM内存芯片（一种支持设备临时存储数据和执行各类任务的关键内存）进行堆叠并融合而成。如今，HBM已成为英伟达等公司在高性能人工智能处理器芯片中首选的内存类型。
为了实现更迅捷的数据处理速度，英伟达和HBM等公司正积极采用2.5D封装技术，将图形处理单元紧密集成在一起。包括台积电、三星和英特尔在内的全球芯片制造巨头，正纷纷加大对2.5D封装及下一代3D封装技术的投资力度，以抢占技术制高点。
三星凭借其全面的技术能力，成为人工智能芯片生产领域的佼佼者。该公司不仅拥有先进的内存业务，能够生产高性能的HBM，其代工部门还具备制造尖端处理器芯片的实力。此外，三星还提供领先的封装解决方案，能够将各种芯片高效集成，从而简化人工智能芯片的生产流程。
这笔联邦资金的注入，也将进一步推动三星在奥斯汀的芯片工厂扩建计划。扩建后的设施将主要服务于航空航天、国防和汽车等关键行业。
随着《芯片法案》资金的逐步到位，雷蒙多表示，在三星等项目的助力下，预计到2030年，美国将占据全球最先进逻辑芯片市场份额的约20%。
上周，全球最大的代工芯片制造商台积电也获得了美国政府提供的66亿美元补贴，用于推动其在凤凰城建设三家芯片工厂的650亿美元投资计划。
而英特尔作为行业的领军企业，早些时候已根据《芯片法案》获得了85亿美元的补贴资金，用于资助其在美国四个州的新芯片工厂建设计划。据美国商务部透露，英特尔未来五年在美国项目的总投资预计将超过1000亿美元。
本文作者：金鹿，来源：腾讯科技，原文标题：《三星电子获美国64亿美元政府补贴 用于扩建得州芯片工厂》
